创意景略携手研发 高性能网路矽晶设计

创意电子与全球高速串联解串器(High-speed SerDes)创新技术的领导者景略半导体(Credo Semiconductor)昨宣布，双方运用台积电的16奈米FinFET+(Fin Field-Effect transistor，鳍式场效电晶体)制程技术，共同合作开发高性能网路矽晶设计解决方案。

　　缩短设计周期

　　2家公司携手合作后，将结合创意电子的后端设计服务专业以及景略半导体的28G与56G SerDes IP(Intellectual Property，智财权)，共同开发以台积电的16奈米FF+制程技术为基础的解决方案。

　　创意电子总裁赖俊豪指出，创意与景略半导体携手合作，在高阶制程技术上共同解决高性能装置设计相关的复杂问题，是一套相当独特的方法，能为未来半导体产业树立新标准、新典范。

　　随着双方公司在高阶制程技术上携手合作，期望可大幅提升晶片整合性、缩短设计周期，并针对广泛运用于交换器、路由器及其他网路硬体上的网路晶片，降低其功耗。

　　景略半导体总裁暨执行长Bill Brennan说，与创意电子合作，让28G及56G SerDes IP能与创意的16奈米FF+ SOC平台整合，并且在整合过程中平顺流畅，藉由彼此携手合作，将可达成一次完成矽晶设计的目标以满足客户需求，并促使100G与400G的企业网路和资料中心加快采用16FF+ ASIC。

　　传统上，由于先进制程技术缺乏可用的低功率及高性能 SerDes，网路装置均依赖增加宽通道数来实现所需的频宽与系统输出量。景略半导体是率先供应56G SerDes IP解决方案的公司，比10G SerDes IP快5倍，所提供的技术能大幅减少通道数量、晶片体积并降低功耗，解决网路装置盲目依赖增加宽通道，用来实现所需与系统输出量问题。